β-Ga2O3材料在半导体技术领域的应用现状

• 作者: 赵金霞
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: Ga2O3 β-Ga2O3功率器件 β-Ga2O3紫外探测器 β-Ga2O3气体传感器 Ga2O3衬底
• 年，卷（期）: 2018,（12）
• 所属期刊栏目: 材料与结构
• 页码范围: 870-877,916
• 页数: 9页
• 分类号: TN304.21|TN323.4|TN36|TP212
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2018.12.003

摘要

单斜晶系氧化镓(β-Ga2O3)超宽带半导体材料具有优良的电学、光学特性以及较高的物理化学稳定性,在大功率器件、紫外探测器以及气体传感器等技术领域具有巨大的应用前景,近年来已成为国际研发的热点.概述了β-Ga2O3半导体材料的特性优势.综述了β-Ga2O3在功率半导体器件、紫外探测器、气体传感器、衬底材料以及GaN器件栅介质领域的研发和应用现状.最后,分析了β-Ga2O3材料在半导体技术领域的应用前景,指出大功率半导体器件领域和日盲深紫外探测器领域将是未来发展的重要方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵金霞	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	7	1.0	2.0