基于CMOS工艺的抗光噪声神经微电极

• 作者: 张雪莲 王飞 裴为华 陈弘达
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS工艺 神经微电极 光噪声 电极宽度
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 671-674
• 页数: 4页
• 分类号: TP212.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2018.05.013

摘要

为了减小神经电极的宽度,提高电极在光照下的抗噪声干扰能力,提出了一种基于0.18 μm CMOS工艺的抗光噪声神经微电极.采用CMOS的多层布线代替传统电极导线的单层排布,并将电极衬底接地以有效减小光噪声.阐述了基于CMOS工艺的神经电极结构设计、制备过程与结构表征,并对所制备的神经电极进行了电化学阻抗测试和光噪声测试.该神经电极宽度仅为70μm,实验证明:1 kHz频率下电极的阻抗一致性好,且在1 mW/mm2的光遗传常用光辐照下,该电极的噪声电压仅为0.07～0.08 mV,远低于传统硅电极12～13 mV的噪声幅值.结果表明,基于CMOS工艺的神经电极抗光噪声能力远优于传统硅电极,对硅基微电极在光遗传中的应用具有重要意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈弘达	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	82	341	10.0	13.0
5	裴为华	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	18	73	5.0	8.0
14	王飞	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	110	836	15.0	23.0
18	张雪莲	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	2	0	0.0	0.0