CMP工艺对Co/Cu去除速率及速率选择比的影响研究

• 作者: 何平 季军 张文倩 杜义琛 潘国峰 王辰伟
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 钴 铜 化学机械抛光工艺 正交试验 去除速率 速率选择比
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 半导体器件与工艺
• 页码范围: 699-704
• 页数: 6页
• 分类号: TN350.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13911/j.cnki.1004-3365.170534

摘要

化学机械抛光(CMP)工艺中,选用了固定的抛光液组分,即3％体积百分比的FA/O型螯合剂、3％体积百分比的FA/O I型非离子表面活性剂、5％ SiO2.首先研究了不同抛光工艺参数,包括抛光压力、抛光头/抛光盘转速、抛光液流量等,对Co/Cu去除速率及选择比的作用机理.然后采用4因素、3水平的正交试验方法对抛光工艺进行优化实验,得到了较佳的工艺参数.在抛光压力为13.79 kPa、抛光头/抛光盘转速为87/93 r/min、抛光液流速为300 mL/min的条件下,Co/Cu的去除速率选择比为3.26,Co和Cu的粗糙度分别为2.01、1.64 nm.