新型阻挡层材料钌的研究进展

• 作者: 周建伟 张佳洁 王子艳 王庆伟 王辰伟
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 钌(Ru) 化学机械抛光(CMP) 去除速率 电偶腐蚀 去除速率选择性
• 年，卷（期）: 2018,（12）
• 所属期刊栏目: 材料与结构
• 页码范围: 863-869
• 页数: 7页
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2018.12.002

摘要

随着集成电路特征尺寸不断缩小到14 nm及以下,钌凭借其低的电阻率、对铜高的依附性而被考虑替代传统阻挡层材料Ta/TaN.但是,钌作为阻挡层材料依然存在很多问题,如低去除速率、容易引起铜的界面腐蚀、铜钌去除的不均匀性.针对以上问题,主要从三个方面介绍了近几年的研究进展.首先,介绍了氧化剂及络合剂对钌去除速率的影响;然后,总结了针对铜钌界面腐蚀问题的研究进展;最后,阐述了国内外解决铜钌去除速率选择性问题的研究进展.此外,提出未来新型阻挡层钌的抛光液的研究应综合解决上述问题,而非单一解决,才能真正应用于生产领域.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周建伟	河北工业大学电子信息工程学院	40	197	8.0	11.0
3	王辰伟	河北工业大学电子信息工程学院	80	287	8.0	10.0
4	王庆伟	河北工业大学电子信息工程学院	3	3	1.0	1.0
10	王子艳	河北工业大学电子信息工程学院	2	2	1.0	1.0
14	张佳洁	河北工业大学电子信息工程学院	2	2	1.0	1.0