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摘要:
In this paper, an efficient thermal analysis method is presented for large scale compound semiconductor integrated circuits based on a heterojunction bipolar transistor with considering the change of thermal conductivity with temperature. The infl uence caused by the thermal conductivity can be equivalent to the increment of the local temperature surrounding the individual device. The junction temperature for each device can be efficiently calculated by the combination of the semi-analytic temperature distribution function and the iteration of local temperature with high accuracy, providing a temperature distribution for a full chip. Applying this method to the InP frequency divider chip and the GaAs analog to digital converter chip, the computational results well agree with the results from the simulator COMSOL and the infrared thermal imager respectively. The proposed method can also be applied to thermal analysis in various kinds of semiconductor integrated circuits.
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篇名 Efficient thermal analysis method for large scale compound semiconductor integrated circuits based on heterojunction bipolar transistor
来源期刊 中国物理B(英文版) 学科
关键词 thermal analysis temperature distribution iterative algorithm compound semiconductor inte-grated circuit
年,卷(期) 2018,(10) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 674-683
页数 10页 分类号
字数 语种 英文
DOI 10.1088/1674-1056/27/10/108101
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研究主题发展历程
节点文献
thermal analysis
temperature distribution
iterative algorithm
compound semiconductor inte-grated circuit
研究起点
研究来源
研究分支
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引文网络交叉学科
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期刊影响力
中国物理B(英文版)
月刊
1674-1056
11-5639/O4
北京市中关村中国科学院物理研究所内
eng
出版文献量(篇)
17050
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27962
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