一种具有载流子存储层的500V高速SOI-LIGBT

• 作者: 邓菁 陈星弼
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: SOI-LIGBT 击穿电压 正向压降 关断时间
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 半导体器件与工艺
• 页码范围: 686-689
• 页数: 4页
• 分类号: TN322+.8
• 语种: 中文
• DOI: 10.13911/j.cnki.1004-3365.170547

摘要

为了改善LIGBT的关断特性,已有一种采用PMOS管来控制LIGBT阳极空穴注入的方法.在此基础上,提出了一种具有载流子存储效应的高速SOI-LIGBT结构.采用二维仿真软件MEDICI,对器件P-top区的剂量、载流子存储层的长度、掺杂浓度等参数进行优化设计.结果表明,SOI-LIGBT的击穿电压为553 V,正向压降为1.73V.关断时,引入的PMOS管可以阻止LIGBT阳极向漂移区注入空穴,使器件的关断时间下降到13 ns,相比传统结构下降了87.6％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈星弼	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	31	254	8.0	15.0
2	邓菁	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	0	0.0	0.0