填充等离子体的绕射辐射振荡器高频特性研究

• 作者: 吕文丽
• 来源期刊: 电子元器件与信息技术
• 关键词: 等离子密度 漂移段 反射器 输出功率 粒子模拟
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 所属期刊栏目: 设计与研究
• 页码范围: 1-4
• 页数: 4页
• 字数: 1645字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.2096-4455.2018.04.001

摘要

等离子体填充能够明显提高真空电子器件的效率和功率,研究等离子体填充器件具有重要的科学价值.本文讨论了填充等离体子的绕射辐射振荡器的高频特性,采用理论分析和PIC模拟相结合的方法对器件的高频特性进行研究.重点研究了等离体子密度、漂移段、反射器三个因素对输出功率的影响.通过理论与模拟相结合,发现合理选择等离子体密度、反射器、漂移段能够大幅提高器件输出功率和效率,在背景等离子体密度变化过程中,存在一峰值功率点,反射器与漂移段的共同作用可提高这一峰值功率点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕文丽	中国海洋大学信息科学与工程学院	2	0	0.0	0.0