脉冲激光诱导石墨等离子体羽辉特性研究

• 作者: 周素素 尹培琪 左都罗 王新兵
• 来源期刊: 激光技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 激光技术 碳等离子体羽辉 增强型CCD成像 C2自由基
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 激光与光电子技术应用
• 页码范围: 796-800
• 页数: 5页
• 分类号: O539
• 字数: 2904字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7510/jgjs.issn.1001-3806.2018.06.013

摘要

为了研究C 2的演化规律,采用增强型电荷耦合器件(ICDD)直接成像法,通过Nd:YAG激光器烧蚀石墨靶,使用窄带通滤波片分辨出C 2和C+的发射位置,研究了在不同空气压力条件下,脉冲激光诱导石墨等离子体中C 2和C+的发射特性.当空气气压为10-2 Pa和3Pa时,C 2发射峰值位于靶材附近,此时C 2的形成主要为靶材的直接发射;气压增大至50Pa时,由于气相重组反应加强,等离子体前端出现另一个C 2的发射峰值,其峰值位置与C+一致,并且其逐渐占C 2发射的主导地位,此时C 2的形成主要来源于重组反应,C+发射光强要大于C 2;当气压进一步增大至130Pa时,气相重组反应增加,在等离子体前端出现C 2的发射强度增强,在1.3μs之后,C 2的发射强度大于C+.结果表明,随着气压的变化,C 2的发射峰值位置和强度发生明显变化.这一结果对碳等离子体沉积碳纳米材料原理研究是有帮助的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	左都罗	华中科技大学武汉光电国家实验室	47	184	7.0	10.0
2	王新兵	华中科技大学武汉光电国家实验室	55	348	10.0	16.0
3	周素素	华中科技大学武汉光电国家实验室	2	2	1.0	1.0
4	尹培琪	华中科技大学武汉光电国家实验室	1	1	1.0	1.0