基于SiC MOSFET的移相全桥ZVS变换器

• 作者: 苏敏 邹旭东
• 来源期刊: 电源学报
• 学科: 工学
• 关键词: 移相全桥 同步整流 箝位二极管 SiCMOSFET
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 页码范围: 36-43
• 页数: 8页
• 分类号: TM46
• 字数: 4293字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2018.3.36

摘要

移相全桥ZVS 变换器通过软开关技术,显著地减小了开关损耗,并进一步提高装置的效率,得到了广泛应用,但传统移相全桥ZVS 变换器在低压大电流情况下整流二极管导通损耗较大.首先采用同步整流技术,降低了次级整流管的导通损耗;然后采用在原边加箝位二极管的方法抑制了副边整流管两端的电压尖峰;并且采用在原边串联隔直电容的方法抑制直流分量;最后用Saber 搭建SiC MOSFET 半桥模块的仿真模型,通过MATLAB和Saber协同仿真来验证高频下SiC MOSFET的工作特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邹旭东	华中科技大学强电磁工程与新技术国家重点实验室	46	1234	16.0	35.0
2	苏敏	华中科技大学中欧清洁与可再生能源学院	16	234	7.0	15.0