黄铜晶间腐蚀机理的实验及模拟研究

• 作者: 刘冬梅 刘凯俐 司慧玲 李明哲 杨志勇 郝义磊
• 来源期刊: 表面技术
• 学科: 工学
• 关键词: 黄铜 晶间腐蚀 电化学法 第一性原理
• 年，卷（期）: 2018,（8）
• 所属期刊栏目: 表面失效及防护
• 页码范围: 244-250
• 页数: 7页
• 分类号: TG172
• 语种: 中文
• DOI: 10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2018.08.033

摘要

目的 为了探究黄铜在含氨介质中的晶间腐蚀加速试验方法,明确黄铜中Zn含量对晶间腐蚀敏感性的影响规律和机理.方法 采用电化学方法加速实现了黄铜表面的晶间腐蚀过程,利用XRD和金相显微镜分析腐蚀产物及表面形貌,对比分析H70和H80黄铜的晶间腐蚀规律.使用Materials Studio中的DMol3模块模拟NH4+和NH3在H70和H80黄铜晶界表面的吸附和反应过程,对比腐蚀粒子在黄铜表面的吸附规律和反应能垒,揭示黄铜晶间腐蚀敏感性的机理.结果 试验结果表明,在NH4Cl溶液中,以100倍自腐蚀电流密度恒电流处理的黄铜,在4 h内能够发生明显的晶间腐蚀.黄铜晶间腐蚀的产物主要为铜氨络合物和锌氨络合物,H70黄铜的晶间腐蚀敏感性大于H80黄铜.模拟研究表明,NH4Cl溶液中的NH4+会优先在黄铜表面的晶界处发生物理吸附,随后NH4+跨越1.15 eV(H70)和1.17 eV(H80)反应能垒分解为NH3和H+,其中NH3优先吸附于晶界中偏析的Zn原子顶位形成络合物,其次与晶界的Cu形成络合物,H70晶界中的Zn含量更高,因此H70的晶间腐蚀敏感性更强.结论 通过电化学恒电流处理法将黄铜的晶间腐蚀发生时间从7 d减少到4 h,并通过量子化学计算和腐蚀产物分析确定了黄铜在NH4Cl溶液中发生晶间腐蚀的机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨志勇		5	3	1.0	1.0
2	李明哲	天津大学电子信息工程学院电子信息工程系	3	3	1.0	1.0
3	刘冬梅		9	15	3.0	3.0