Ga2O3功率器件研究现状和发展趋势

• 作者: 孙学耕 张智群
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: Ga2O3 超宽禁带半导体 功率器件 Ga2O3肖特基势垒二极管(SBD) Ga2O3金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 241-249,284
• 页数: 10页
• 分类号: TN304.21|TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.04.001

摘要

氧化镓(Ga2O3)超宽禁带半导体材料在高频大功率器件领域具有巨大的应用潜力和前景,近几年已成为国内外研发的热点.概述了Ga2O3半导体材料在功率器件应用领域的特性优势和不足,重点介绍了日本、美国和国内的Ga2O3功率半导体器件的研发现状.详细介绍了目前Ga2O3肖特基势垒二极管(SBD)、Ga2O3金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)以及新型Ga2O3功率器件的最新研究成果.归纳出提高Ga2O3单晶和外延材料质量、优化Ga2O3功率器件结构和制造工艺是Ga2O3功率器件未来的主要发展趋势,高功率、高效率、高可靠性和低成本是Ga2O3功率器件未来的主要发展目标.最后总结了我国与美国、日本在Ga2O3功率半导体领域的技术发展差距,以及对未来我国在Ga2O3功率半导体技术方面的发展提出了建议.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张智群		13	20	3.0	4.0
2	孙学耕		2	3	1.0	1.0