940nm大功率半导体激光器后工艺优化

• 作者: 李建军 王元诚 王梦欢 王海阔 袁泽旭
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体激光器 大功率 侧向电流扩展 隔离沟道
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 612-615,622
• 页数: 5页
• 分类号: TN248.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2018.05.002

摘要

波长为940 nm的大功率半导体激光器是基于Yb:YAG激光器的重要泵浦光源.为了制备高输出功率的940 nm半导体激光器,基于非对称超大光腔波导外延结构,对芯片后制备工艺进行了优化.在芯片的侧向,引入了隔离双沟结构,以实现对侧向电流扩展的有效抑制,从而提高器件的性能.通过优化双沟的间距和深度,并结合长腔长结构,制备的940 nm半导体激光器在室温且未采取任何主动散热的条件下,最高出光功率达到20.3W.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李建军	北京工业大学光电子技术教育部重点实验室	52	234	7.0	12.0
2	王海阔	北京工业大学光电子技术教育部重点实验室	4	3	1.0	1.0
3	王元诚	北京工业大学光电子技术教育部重点实验室	4	3	1.0	1.0
4	王梦欢	北京工业大学光电子技术教育部重点实验室	4	1	1.0	1.0
5	袁泽旭	北京工业大学光电子技术教育部重点实验室	4	1	1.0	1.0