Ti掩膜图形层对外延生长GaN薄膜晶体质量的影响

• 作者: 孙科伟 张嵩 王再恩 程红娟
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氢化物气相外延(HVPE) 蓝宝石衬底 GaN 掩膜图形 晶格失配
• 年，卷（期）: 2018,（7）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 545-549
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.24|TN304.054
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.07.011

摘要

采用氢化物气相外延(HVPE)方法在2英寸(1英寸=2.54 cm)c面蓝宝石衬底上外延生长了高质量GaN单晶薄膜.在GaN生长过程中引入点状和条状两种金属Ti掩膜图形层,研究了不同Ti掩膜图形层对外延生长GaN薄膜晶体质量的影响.使用微分干涉相差显微镜(DICM)、扫描电子显微镜(SEM)、阴极荧光光谱(CL)、喇曼光谱和X射线衍射(XRD)对制备的GaN样品结构和形貌进行了表征分析.实验结果表明,Ti掩膜图形层的引入可以在一定程度上改善GaN薄膜的表面形貌,缓解材料中的应力,降低GaN材料中的位错密度,提高材料的结晶质量.同时发现,相比于点状图形,条状Ti图形掩膜层可以更加有效地改善GaN材料的晶体质量,将位错密度降低到3.2×106 cm-2以下.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程红娟	中国电子科技集团公司第四十六研究所	44	47	4.0	5.0
2	孙科伟	中国电子科技集团公司第四十六研究所	7	2	1.0	1.0
3	张嵩	中国电子科技集团公司第四十六研究所	7	5	1.0	1.0
4	王再恩	中国电子科技集团公司第四十六研究所	3	0	0.0	0.0