GaN电力电子和射频器件产业链分析

• 作者: 沈一度
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化物半导体 GaN 大功率电子器件 射频器件
• 年，卷（期）: 2018,（10）
• 所属期刊栏目: 创新应用
• 页码范围: 91-92
• 页数: 2页
• 分类号: TN609
• 字数: 1109字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2018.10.027

摘要

III族氮化物半导体具有宽的直接带隙,优异的物理、化学稳定性,高饱和电子漂移速度,高击穿场强等优越性能,是发展高频、高温、高功率电子器件的最优选材料.在III族氮化物材料体系中,AIGaN/GaN异质结构是迄今为止研制高温、高频、大功率电子器件最重要和最基本的材料体系.GaN产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造环节以及下游的应用环节.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈一度		1	1	1.0	1.0