沟槽栅IGBT非晶Si填槽工艺研究与优化

• 作者: 周燕春 李志栓 汤光洪 罗燕飞 高周妙
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 低压化学气相淀积(LPCVD) 非晶Si 填槽工艺 无缝回填 高深宽比
• 年，卷（期）: 2018,（7）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 534-539
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.055
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.07.009

摘要

采用低压化学气相淀积(LPCVD)非晶Si填槽工艺代替LPCVD多晶Si填槽工艺,对沟槽绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件的沟槽进行非晶Si回填,研究并优化了高深宽比非晶Si填槽工艺.分析了LPCVD非晶Si工艺参数如PH3体积流量和沉积时间等对LPCVD非晶Si填槽能力的影响,通过调制P掺杂浓度和优化非晶Si淀积时间,得到槽底侧壁与槽口侧壁非晶Si厚度差值为0.022 μm的基准非晶Si填槽工艺,优化了LPCVD非晶Si反复多次填槽工艺条件.结果表明,采用优化后的工艺可实现沟槽栅IGBT器件沟槽非晶Si无缝回填,器件的栅极电阻降低了0.150 Ω,漏电流降低了1.408 nA,成品率提升了0.4％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李志栓		4	3	1.0	1.0
2	汤光洪		2	0	0.0	0.0
3	罗燕飞		2	1	1.0	1.0
4	高周妙		2	1	1.0	1.0
5	周燕春		1	0	0.0	0.0