高灵敏度Sb基量子阱2DEG的霍尔器件

• 作者: 商世广 武利翻 苗瑞霞
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 霍尔器件 量子阱 双δ掺杂 分子束外延
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 687-691
• 页数: 5页
• 分类号: TN305|TN382
• 字数: 520字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20183905.0687

摘要

用分子束外延技术将高灵敏度的InAs/AlSb量子阱结构的Hall器件赝配生长在GaAs衬底上.设计了由双δ掺杂构成的Hall器件的新结构,有效地提高了器件的面电子浓度.与传统的没有掺杂的InAs/AlSb量子阱结构的Hall器件相比,室温下器件电子迁移率从15000 cm2·V-1·s-1提高到16000 cm2·V-1·s-1.AFM测试表明材料有好的表面形态和结晶质量.从77 K到300 K对Hall器件进行霍尔测试,结果显示器件不同温度范围有不同散射机构.双δ掺杂结构形成高灵敏度、高二维电子气(2DEG)浓度的InAs/AlSb异质结Hall器件具有广阔的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	苗瑞霞	西安邮电大学电子工程学院	14	2	1.0	1.0
2	商世广	西安邮电大学电子工程学院	18	41	3.0	5.0
3	武利翻	西安邮电大学电子工程学院	11	17	2.0	3.0