氟离子对硅化学机械抛光作用机理研究

• 作者: 张忠祥 杨金 汪海波 王笑颜 王菲菲 鲁世斌
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 关键词: 硅 化学机械抛光 氟离子 X射线光电子能谱 接触角
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 工艺设备
• 页码范围: 508-514
• 页数: 7页
• 语种: 中文
• DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2018.06.11

摘要

研究了氟(F)离子对硅化学机械抛光速率的促进作用.抛光结果显示,加入2.5％(质量比)的氟化钾(KF)到硅溶胶基碱性抛光液中能够使抛光速率提高57.7％.为了揭示其作用机理,通过测试硅在KF碱性溶液中的开路电位和极化曲线分析了电化学反应过程,其结果表明F离子不仅能够溶解硅钝化层还能增加极化电流,当KF浓度为2.5％(质量比),硅的腐蚀电流密度可达44.5μA/cm2.光电子能谱和接触角的进一步测试表明,F离子的加入减少了硅在碱性水溶液中的氧化物生成,并使得抛光后表面接触角达到93.2°,形成强疏水的表面.结合Pietsch提出的无F条件下硅在碱溶液中原子去除模型,分析了在有F条件下硅的抛光机理.这种机理可以给开发硅衬底高速抛光液提供解决思路.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张忠祥	合肥师范学院电子信息工程学院	26	47	4.0	5.0
2	鲁世斌	合肥师范学院电子信息工程学院	29	39	4.0	5.0
3	王菲菲	合肥师范学院电子信息工程学院	8	7	2.0	2.0
4	杨金	合肥师范学院电子信息工程学院	9	10	2.0	3.0
5	汪海波	合肥师范学院电子信息工程学院	4	8	1.0	2.0
6	王笑颜	合肥师范学院电子信息工程学院	1	0	0.0	0.0