SiC晶体生长中气相组分输运特性

• 作者: 孙彩华 李源 石爱红 马生元
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碳化硅 输运特性 数值模拟 物理气相传输
• 年，卷（期）: 2018,（11）
• 页码范围: 2260-2264
• 页数: 5页
• 分类号: O782
• 字数: 2132字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2018.11.005

摘要

针对物理气相传输(PVT)法生长碳化硅(SiC)晶体,建立了一个二维生长动力学模型研究SiC生长腔内气相组分输运特性,该模型考虑了氩气与气相组分之间的流动耦合,Stefan流和浮力影响.研究表明:在压力较低的情况下,自然对流对气相组分的输运过程影响很小,可以忽略,而当压力增高时,自然对流强度显著增大,不可忽略.其次,随着生长温度升高对流的作用增强,生长腔内输运过程由扩散向对流转变,最终对流主导组分的输运过程.随着压力升高对流作用减弱,扩散为气相组分主要输运方式.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙彩华	青海民族大学交通学院	12	28	3.0	5.0
2	马生元	青海民族大学交通学院	22	27	3.0	3.0
3	李源	青海民族大学交通学院	8	1	1.0	1.0
4	石爱红	青海民族大学化学化工学院	3	0	0.0	0.0