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摘要:
通过在半导体异质结上的上下表面沉积两条平行的铁磁条带可获得一个巨磁阻器件.为了更好地调控其性能,我们从理论上研究了在该器件中加入 δ势后,该器件的透射系数、电导和磁阻比率的变化情况.研究发现,加入δ势后,该器件同样具有明显的巨磁阻效应,且其磁阻比率与加入δ势的权重和位置密切相关.因此,我们可以通过改变加入δ势的权重和位置来调控该巨磁阻器件,设计出磁阻比率可调的磁信息存储器.
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文献信息
篇名 δ-掺杂磁垒纳米结构中的GMR效应及调控
来源期刊 四川大学学报(自然科学版) 学科 物理学
关键词 磁调制半导体 异质结 δ-掺杂 巨磁阻效应 磁阻比率
年,卷(期) 2018,(2) 所属期刊栏目 物理学
研究方向 页码范围 339-344
页数 6页 分类号 O469
字数 3472字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.0490-6756.2018.02.021
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈赛艳 桂林理工大学博文管理学院 11 8 2.0 2.0
5 王星 桂林理工大学博文管理学院 10 3 1.0 1.0
6 杨达莉 桂林理工大学博文管理学院 10 5 2.0 2.0
7 蒋亚清 桂林理工大学理学院 1 0 0.0 0.0
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四川大学学报(自然科学版)
双月刊
0490-6756
51-1595/N
大16开
成都市九眼桥望江路29号
62-127
1955
chi
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