硅掺杂氧化锡柔性薄膜晶体管的制备与特性

• 作者: 刘贤哲 姚日晖 宁洪龙 张啸尘 张建东 彭俊彪 李晓庆 王磊
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 柔性 硅掺杂氧化锡 薄膜晶体管
• 年，卷（期）: 2018,（7）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 968-973
• 页数: 6页
• 分类号: TN321.5
• 字数: 2627字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20183907.0968

摘要

研究了柔性非晶硅掺杂氧化锡(SiSnO,STO)薄膜晶体管的电学特性及其在弯曲状态下的电学特性.通过射频磁控溅射在聚酰亚胺(Polyimide,PI)衬底上制备出了柔性非晶硅掺杂氧化锡薄膜晶体管.通过对比不同退火温度的器件性能,发现在300℃能获得最佳器件性能,其饱和迁移率达到2.71 cm2·V-1·s-1,开关比高于106,亚阈值摆幅为1.95 V·dec-1,阈值电压为2.42 V.对器件在不同曲率半径(5,10,20,30 mm)状态下进行输出特性和转移特性测试,发现其在弯曲状态下仍具有良好的电学性能.