针对高压IGBT的改进瞬态模型

• 作者: 刘宾礼 普靖 罗毅飞 肖飞
• 来源期刊: 高电压技术
• 关键词: 典型IGBT瞬态模型 高压IGBT瞬态模型 过剩载流子浓度 空穴电流 基区 Buffer层
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 高压直流短路电流开断机理及其应用基础专题
• 页码范围: 448-455
• 页数: 8页
• 语种: 中文
• DOI: 10.13336/j.1003-6520.hve.20180131015

摘要

为准确表征绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的物理特性,在典型IGBT开关瞬态模型的基础上提出一种改进的高压IGBT瞬态模型.首先基于半导体物理理论,对典型IGBT开关瞬态的建模过程进行了简要分析和推导,并在此基础上针对高压IGBT的宽基区结构特点,考虑基区载流子复合过程对IGBT开关瞬态的影响,建立了一种改进的高压IGBT瞬态模型.最后将建立的模型在Saber仿真软件中实现,并在25℃和125℃工况下进行了双脉冲仿真,以一种3 300 V/1 200 A IGBT模块为例搭建测试电路,对改进的瞬态模型进行实验验证.实验结果表明:提出的改进模型将25℃下IGBT关断时间的误差由26.5％降低至1.5％,关断损耗的误差由60.93％降低至8.92％;该模型将125℃下IGBT关断时间的误差由14.5％降低到4％,关断损耗的误差由61.68％降低到11.35％.研究结果为IGBT的应用设计提供了更为准确的仿真模型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗毅飞		7	0	0.0	0.0
2	肖飞		13	0	0.0	0.0
3	刘宾礼		4	0	0.0	0.0
4	普靖		1	0	0.0	0.0