退火参数对p-Si与Ti/Pt/Au欧姆接触的影响

• 作者: 李奇思 杨娇燕 林立娜 梁庭 赵丹 雷程
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 退火 欧姆接触 伏安特性曲线 表面形貌 电极 比接触电阻率
• 年，卷（期）: 2018,（10）
• 所属期刊栏目: 传感器研究
• 页码范围: 1499-1504
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.99
• 字数: 4560字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2018.010.008

摘要

针对SOI(Silicon on Insulator,绝缘体上的硅)高温压力传感器,在真空环境下使用退火的热处理方法,减小了p-Si与Ti/Pt/Au的接触电阻,得到了合适的电阻值和小的比接触电阻率.通过单一因素控制法研究了退火时间和退火温度两个关键因素对样品电阻值和接触表面形貌的影响.采用半导体分析仪、扫描电镜(SEM)和高低温探针台等测试设备以及传输线模型测试方法对样品的欧姆接触性能进行分析,得出了不同温度和时间与欧姆接触的关系.实验结果表明:样品在退火条件为570℃,80 min时电阻的I-V(伏安特性)曲线呈线性,阻值符合设计值,比接触电阻率小,在0～400℃测试环境下电阻值比较稳定.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁庭	中北大学电子测试技术国防科技重点实验室	29	96	6.0	8.0
2	赵丹	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	3	6	2.0	2.0
3	雷程	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	8	13	3.0	3.0
4	林立娜	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	2	0	0.0	0.0
5	杨娇燕	中北大学电子测试技术国防科技重点实验室	2	0	0.0	0.0
6	李奇思	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	2	0	0.0	0.0