MTM反熔丝薄膜单项工艺DOE试验设计开发方法

• 作者: 吴建伟 吴素贞 徐海铭 曾庆平 洪根深 王印权 郑若成
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 单项工艺 反熔丝薄膜 DOE试验设计方法
• 年，卷（期）: 2018,（9）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 45-48
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.8
• 字数: 1886字
• 语种: 中文

摘要

MTM (Metal To Metal)反熔丝薄膜工艺是反熔丝工艺的关键技术.介绍了MTM反熔丝薄膜单项工艺开发采用的DOE (Design of Experiment)试验方法.基于CVD (Chemical Vapor Deposition)工艺,通过对射频RF、气体1流量以及基座间距进行DOE试验设计,以厚度均匀性、折射率以及应力等工艺参数响应并通过容宽验证,完成反熔丝薄膜主要参数的工艺菜单开发.主要提供一种采用DOE试验设计进行单项工艺开发的方法,为科研生产中各种关键单项工艺开发提供参考和借鉴.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑若成	中国电子科技集团公司第五十八研究所	20	44	4.0	5.0
2	王印权	中国电子科技集团公司第五十八研究所	7	10	2.0	3.0
3	徐海铭	中国电子科技集团公司第五十八研究所	11	14	2.0	3.0
4	吴建伟	中国电子科技集团公司第五十八研究所	25	39	4.0	4.0
5	曾庆平	中国电子科技集团公司第五十八研究所	1	0	0.0	0.0
6	吴素贞	中国电子科技集团公司第五十八研究所	4	6	2.0	2.0