功率MOSFET雪崩能量测试研究

• 作者: 张孟 潘启智 陈曦
• 来源期刊: 电子技术
• 关键词: MOSFET 雪崩能量 测试方法 失效模式
• 年，卷（期）: 2018,（8）
• 所属期刊栏目: 电子技术研发
• 页码范围: 7-10
• 页数: 4页
• 字数: 2136字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0755.2018.08.002

摘要

现如今,功率MOSFET在电子电力设备中应用十分广泛,随着不断的发展,至今已成为工业领域最重要的器件之一,因此由于它而引起的整机失效也越来越常见.分析MOSFET失效的原因和后果,对于它的进一步发展应用具有重要的意义.在电源应用中的MOSFET,多为感性负载应用,电流为线性变化,不存在突变电流,电流能力并不是其失效重点;电压方面,由于变压器、电感的反向电动势,会造成MOSFET漏源之间承受极高的电压,因此反向电压击穿是MOSFET的主要失效模式,此时就需要考虑器件的雪崩能力.本文主要针对雪崩击穿的原理、雪崩能量的测试方法、影响雪崩测试的因素、雪崩击穿的具体失效模式进行分析讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈曦		1	1	1.0	1.0
2	张孟		1	1	1.0	1.0
3	潘启智		5	12	1.0	3.0