利用双层胶方法去除负性光刻胶残胶效果研究

• 作者: 王上飞 王兴 王秋森 邹赫麟 黎晨
• 来源期刊: 机电技术
• 学科: 工学
• 关键词: 残胶 AZ703 粘度 厚度 缩进距离
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 所属期刊栏目: 材料与工艺
• 页码范围: 78-82
• 页数: 5页
• 分类号: TS853+.5
• 字数: 3848字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19508/j.cnki.1672-4801.2018.03.025

摘要

提出了一种双层胶工艺去除表面残胶的新方法,即以正性光刻胶为底层胶膜、负性光刻胶为顶层胶膜,能有效地去除基底残胶.研究了正性光刻胶粘度和厚度对平均残胶量的影响,实验表明:转速为3000 r/min、厚度为1.36μm旋涂的低粘度正胶AZ703对去胶有明显效果;研究了底层胶膜缩进距离d和图形完整性的关系,实验表明:当底层胶膜缩进距离d达到8μm时,图案完整,且使顶层胶膜与基底接触面积最小化,达到进一步减少残胶的效果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王兴	大连理工大学机械工程学院	3	33	2.0	3.0
2	邹赫麟	大连理工大学机械工程学院	10	24	3.0	4.0
3	黎晨	大连理工大学机械工程学院	1	0	0.0	0.0
4	王秋森	大连理工大学机械工程学院	1	0	0.0	0.0
5	王上飞	大连理工大学机械工程学院	1	0	0.0	0.0