GaP,GaAs和PPLN晶体级联差频产生太赫兹辐射

• 作者: 谢芳森 饶志明 黄俊滔
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: 太赫兹 级联过程 差频产生 周期性极化晶体 准相位匹配
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 所属期刊栏目: 太赫兹科学技术
• 页码范围: 576-583,594
• 页数: 9页
• 分类号: TN201|O411
• 字数: 7783字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA201804.0576

摘要

研究周期极化磷化镓晶体(GaP)、砷化镓晶体(GaAs)和周期极化铌酸锂晶体(PPLN)准相位匹配级联差频产生太赫兹辐射,相较于差频过程,级联过程太赫兹辐射输出功率增大9.5倍.通过分析三波耦合方程,计算并比较晶体的波矢失配量、极化周期和太赫兹功率,结果显示,基于GaP晶体产生的太赫兹功率略大于GaAs晶体输出的功率;GaAs晶体的极化周期最小;PPLN晶体的波矢失配量和极化周期取值范围最小,而输出的太赫兹功率和转换效率最高.建立基于周期极化掺氧化镁铌酸锂晶体(MgO:PPLN)准相位匹配原理的宽调谐激光系统,分析吸收因子对输出太赫兹功率的影响,计算级联差频峰值功率和转换效率.十五阶峰值功率3.72 MW,泵浦光总能量到太赫兹辐射能量的转换效率是3.72％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢芳森	江西师范大学物理与通信电子学院	44	176	7.0	10.0
2	饶志明	江西师范大学物理与通信电子学院	8	26	3.0	5.0
3	黄俊滔	江西师范大学物理与通信电子学院	3	2	1.0	1.0