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摘要:
针对大功率隧道结半导体激光器因光学灾变损伤(COD)而导致输出光功率无法进一步提高的问题,通过优化器件材料结构,提高了其COD阈值.采用标准的半导体激光器制作工艺,制作了发光区条宽为200 μm、腔长为900 μm的单隧道结半导体激光器.在脉冲宽度为200 ns、重复频率为5 kHz的室温下进行测试,器件峰值功率超过70 W,并且无明显COD现象发生.在20 A工作电流下,器件峰值波长为907 nm,光谱宽度为7 nm,斜率效率为1.88,接近相同工作电流下单有源层激光器的两倍.
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内容分析
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文献信息
篇名 大功率单隧道结半导体激光器的研制
来源期刊 半导体光电 学科 工学
关键词 大功率 单隧道结激光器 光学灾变损伤 材料结构
年,卷(期) 2018,(3) 所属期刊栏目 光电器件
研究方向 页码范围 345-349
页数 5页 分类号 TN248.4
字数 语种 中文
DOI 10.16818/j.issn1001-5868.2018.03.009
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 廖柯 13 77 4.0 8.0
2 周勇 14 49 4.0 6.0
3 陈健 2 1 1.0 1.0
4 熊煜 3 7 1.0 2.0
5 刘尚军 3 4 1.0 2.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
大功率
单隧道结激光器
光学灾变损伤
材料结构
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体光电
双月刊
1001-5868
50-1092/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号44所内
1976
chi
出版文献量(篇)
4307
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22967
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