MOCVD外延生长原位光致发光谱测量方法

• 作者: 刘彦峰 张美丽 方文卿 李春 杨岚 杨超普 阳帆 韩茜
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOCVD 原位监测 光致发光 外延
• 年，卷（期）: 2018,（11）
• 页码范围: 2316-2321
• 页数: 6页
• 分类号: TN305|O43
• 字数: 4028字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2018.11.015

摘要

为了实现MOCVD外延生长过程中的PL谱原位测量.利用经过特殊改造的M680红外测温石英光学探针、分支石英光纤、半导体激光器、光谱仪、OD值为6的单波陷波滤光片,在THOMAS SWAN CCS型MOCVD反应室上实现了Si(111)衬底GaN基InGaN/GaN MQW外延生长过程原位PL谱测量.研究结果表明:该原位PL谱测量系统,能够实现激发光的导人、PL谱信号的收集、反射激光及杂散光的过滤;当温度降低至600℃以下时,MOCVD反应室内红外辐射对PL测量的影响可以忽略;该原位PL谱测量方法可推广至Al2O3衬底外延生长.该研究可为MOCVD原位PL谱测量设备开发提供参考.