一种高效率的1060 nm半导体激光器设计

• 作者: 张永棠
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体激光器 波导 量子阱 MOCVD
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 1357-1361
• 页数: 5页
• 分类号: TN243
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2018.06.001

摘要

设计了一种高效的1060 nm大功率半导体激光器,该激光器包含有源层、波导层和光限制层.其中有源层采用InGaAs/GaAs量子阱(QW)结构,将该层控制在临界厚度范围内,提高腔内量子效率;波导层采用非故意掺杂GaAs材料非对称大光学腔结构,减小空腔损耗;光限制层采用掺杂的Al0.25 Ga0.75 As材料形成线性的过渡,以减小串联电阻.应用MOCVD对器件结构进行优化,外延,制作和封装测试,获得功率效率为47.4％的1060 nm半导体激光器.实验结果表明,腔内量子效率达到98.57％,腔损仅为0.273 cm-1.在室温下,QCW脉冲条件下制备的器件具有4 mm腔长和100μm条宽的器件,效率达到47.4％,峰值波长为1059.4 nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张永棠	广东东软学院计算机科学与技术系	55	91	5.0	7.0