CMOS射频前端LNA的设计

• 作者: 尹强 曹新亮 杨锐 黄海生
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 低噪声放大器 CMOS ADS 共源共栅 匹配 射频
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 68-72
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 字数: 1880字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2018.06.014

摘要

采用TSMC RF CMOS 0.13μm工艺设计了一款共源共栅结构的低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA),该放大器应用于移动通信主流标准TD-SCDMA 2 GHz中.先初步计算电路参数,后经ADS调谐折中选择电路参数.利用安捷伦公司(Agilent)射频EDA平台ADS2009对电路进行仿真.结果表明,该LNA在1.2 V电源电压下,功耗仅为3 mW,正向功率增益为18.96 dB,输入输出匹配均小于-30 dB,噪声系数为1.15 dB,且输入1 dB压缩点为-9 dBm,满足预期的设计要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄海生	西安邮电大学电子工程学院	57	146	6.0	9.0
2	曹新亮	延安大学物理学与电子信息学院	79	173	6.0	11.0
3	杨锐	西安邮电大学电子工程学院	9	24	3.0	4.0
4	尹强	西安邮电大学电子工程学院	3	10	3.0	3.0