C-Nb共掺杂SnO2电子结构的第一性原理研究

• 作者: 伏春平 夏继宏 张东
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: SnO2 第一性原理 能带结构 态密度
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 原子分子物理交叉学科
• 页码范围: 297-301
• 页数: 5页
• 分类号: O65
• 字数: 2410字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2018.02.021

摘要

本文利用第一性原理研究了C-Nb共掺杂的SnO2稳定性、能带结构与态密度,从自旋向上和自旋向下的能带结构以及态密度分析了掺杂体系磁性产生的机理.研究结果表明,C-Nb共掺杂SnO2体系的稳定性强于C, Nb单掺杂SnO2体系;C, Nb单掺杂、C-Nb共掺杂的SnO2体系的总磁矩分别为0 μB、0.922 μB、1.0 μB;Nb掺杂SnO2体系产生磁性在于Nb的d轨道引入,C-Nb共掺杂SnO2体系产生磁性在于Nb的s 轨道和C的p轨道相互作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏继宏	重庆文理学院物理系	24	33	3.0	4.0
2	张东	重庆文理学院物理系	22	131	6.0	11.0
3	伏春平	重庆文理学院物理系	29	77	5.0	7.0