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摘要:
为了研究硅光电倍增器(SiPM)在低温下能否正常工作,选取了两种典型的SiPM,通过液氮制冷方式,对SiPM在不同温度下的反向伏安特性进行了研究.结果显示,不同SiPM的过偏压范围(VB~Vb)随温度的变化差别很大,并且微量水蒸气凝结仅对未封装的SiPM伏安特性的Vb~VB段有明显影响.分析实验结果得出,SiPM正常工作电压的范围在很大程度上受到衬底材料中缺陷和陷阱浓度的影响.在低温下工作的SiPM,要求其衬底材料中缺陷和陷阱的浓度更低.在进行SiPM的低温应用和测量时,应密切监视偏压加在Vb~VB区间时,器件的电流是否有变化,而不能只观察击穿之前SiPM的漏电情况.
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文献信息
篇名 硅光电倍增器的变温伏安特性及水汽凝结对伏安特性的影响
来源期刊 半导体光电 学科 物理学
关键词 硅光电倍增器 多像素光子计数器 伏安特性 水汽凝结
年,卷(期) 2018,(3) 所属期刊栏目 光电器件
研究方向 页码范围 337-340
页数 4页 分类号 O436
字数 语种 中文
DOI 10.16818/j.issn1001-5868.2018.03.007
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作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张国青 西安工程大学理学院物理系 16 19 3.0 3.0
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研究主题发展历程
节点文献
硅光电倍增器
多像素光子计数器
伏安特性
水汽凝结
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体光电
双月刊
1001-5868
50-1092/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号44所内
1976
chi
出版文献量(篇)
4307
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22
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