缓冲层材料对纤锌矿结构GaN(0001) 光电发射性能的影响

• 作者: 任艺 常本康 李飙
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 光电子学 光电子器件 光谱响应 光电阴极 氮化镓 缓冲层 铝镓氮
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 1376-1379
• 页数: 4页
• 分类号: O433|TN203
• 字数: 2257字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2018.06.005

摘要

利用异质外延技术在蓝宝石衬底上生长了GaN光电发射层,为降低发射层和衬底间的失配,在衬底和发射层间分别采用了AlN和Al1-x Gax N两种不同的缓冲层材料.对具有不同缓冲层材料的样品进行了表面清洗与激活,在激活结束后分别测试了两种样品的光谱响应,其最大量子效率分别为13％和20％,依据激活后光电阴极的光谱响应作为评估标准,可以得出,采用组份渐变Al1-x Gax N作为缓冲层激活出的阴极具有更高的光电发射性能,从而实现了GaN光电阴极结构的优化设计.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	常本康	南京理工大学电子工程与光电技术学院	234	2020	19.0	30.0
2	任艺	商丘职业技术学院机电系	22	52	4.0	6.0
3	李飙	商丘师范学院电子电气工程学院	7	8	1.0	2.0