硅基高精度镍铬薄膜电阻的制备和性能表征

• 作者: 刘建军 宋夏 王强文 王运龙 郭育华
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 系统集成 无源集成元件技术 镍铬薄膜电阻 多层薄膜电路工艺
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 1372-1375
• 页数: 4页
• 分类号: TN44
• 字数: 2351字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2018.06.004

摘要

集成无源元件(IPD)技术可以将分立的无源元件集成在衬底内部,提高系统的集成度.为了获得高精度的薄膜电阻,采用多层薄膜电路工艺在硅晶圆上制备了不同线宽的镍铬薄膜电阻,利用显微镜和半导体参数测试仪对薄膜电阻的图形线宽及电学特性进行了表征及测试.结果表明,制备出的镍铬薄膜电阻线宽精度在±5％以内,电阻精度在±0.5％以内,具有稳定的电学特性.基于镍铬的高精度硅基无源集成电阻器在系统集成中有广泛的应用价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋夏	中国电子科技集团公司第三十八研究所	14	32	4.0	4.0
2	刘建军	中国电子科技集团公司第三十八研究所	19	18	2.0	2.0
3	王运龙	中国电子科技集团公司第三十八研究所	7	9	2.0	2.0
4	郭育华	中国电子科技集团公司第三十八研究所	7	14	3.0	3.0
5	王强文	中国电子科技集团公司第三十八研究所	4	1	1.0	1.0