SiGe Recess工艺中TMAH蚀刻速率的研究与优化

• 作者: 李帅臻 段力
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路制造 SiGeRecess TMAH蚀刻速率 TMAH溶氧溶氧量.
• 年，卷（期）: 2018,（11）
• 所属期刊栏目: 工艺与制造
• 页码范围: 25-30
• 页数: 6页
• 分类号: TN405
• 字数: 3477字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2018.11.007

摘要

伴随着摩尔定律的发展,MOSFET的特征尺寸不断减小,90 nm节点以后,栅极SiO2介质的厚度已经接近物理极限,此时引入了high-k金属栅极,使摩尔定律能够继续往下延续.引入high-k金属栅极的同时又采用了应变硅技术,很好地解决了载流子迁移率下降的问题.在28 nm节点,应力硅技术是先在PMOS栅极两侧用TMAH进行各向异性蚀刻,蚀刻出SiGe Recess,然后再在蚀刻出的SiGe Recess内外延生长出SiGe来实现的.但在生产实践中,发现TMAH的蚀刻速率不是很稳定,这样就会对大规模生产产生不利的影响.深入观察TMAH蚀刻速率的变现,分析可能的影响因子,并进行实验,最终确定了关键影响因子——TMAH溶液溶氧量,并在此发现基础上,采取措施,很大程度上优化了TMAH的蚀刻速率,为28 nm应力硅技术的大规模生产实践及良率提升提供了良好的基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	段力	上海交通大学微纳电子学院	14	15	2.0	3.0
2	李帅臻	上海交通大学微纳电子学院	1	0	0.0	0.0