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摘要:
采用0.18 μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种应用于全球导航卫星系统的低噪声放大器.该低噪声放大器采用小型化栅格阵列封装,内部集成了旁路控制单元,所有I/O端口均加入了ESD保护电路.对封装后的芯片进行了测试.结果表明,在GNSS频率范围内,该芯片的正向增益为20.1 dB,噪声系数小于1.1 dB,输入1-dB压缩点和输入3阶交调点分别为-12 dBm和-5 dBm,在2.7V电源电压下消耗电流3.7mA,芯片尺寸为0.63 mm×0.64 mm.
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文献信息
篇名 一种应用于全球导航卫星系统的低噪声放大器
来源期刊 微电子学 学科 工学
关键词 低噪声放大器 全球导航卫星系统 栅格阵列封装
年,卷(期) 2018,(3) 所属期刊栏目 电路与系统设计
研究方向 页码范围 285-288
页数 4页 分类号 TN722.3
字数 1857字 语种 中文
DOI 10.13911/j.cnki.1004-3365.170372
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 万天才 7 25 3.0 5.0
3 吕育泽 2 3 1.0 1.0
4 李晋 1 2 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
低噪声放大器
全球导航卫星系统
栅格阵列封装
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学
双月刊
1004-3365
50-1090/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号24所
1971
chi
出版文献量(篇)
3955
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20
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21140
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