AlGaN日盲紫外焦平面阵列均匀性研究

• 作者: 叶嗣荣 周勋 李艳炯 杨晓波 柳聪 申志辉 罗木昌 赵文伯 赵红 陈扬
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 响应均匀性 日盲探测器 混合集成结构 焦平面阵列
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 156-159,200
• 页数: 5页
• 分类号: TN364.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2018.02.002

摘要

结合外延材料工艺、芯片工艺及互连集成工艺具体情况,分析了AlGaN外延材料、探测器阵列芯片及倒焊芯片的均匀性特点,讨论了影响外延材料Al组分分布均匀性、芯片电阻和电容分布均匀性的各种因素.在此基础上,提出了改进器件均匀性的技术途径.利用MOCVD外延材料生长技术,生长了背照式AlGaN-pin异质结构外延材料,并利用所生长的外延材料制作了320×256元AlGaN日盲紫外焦平面阵列器件.测试所制作的器件,结果显示,其光谱响应范围为255～280nm,位于日盲波段,0V偏置时272nm峰值波长响应度大于0.16A/W(外量子效率大于72.9％),有效像元数大于99.2％,响应非均匀性小于3.36％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵红		11	53	4.0	7.0
2	赵文伯		20	159	5.0	12.0
3	罗木昌		13	78	5.0	8.0
4	周勋		21	79	5.0	8.0
5	李艳炯		6	7	2.0	2.0
6	叶嗣荣		15	64	4.0	8.0
7	杨晓波		11	33	3.0	5.0
8	陈扬		4	26	2.0	4.0
9	申志辉		7	7	2.0	2.0