基于SiGe BiCMOS工艺的X波段四通道幅相控制芯片设计

• 作者: 曹锐 李庄 荣大伟 陶小辉
• 来源期刊: 电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: X波段 四通道 幅相控制芯片
• 年，卷（期）: 2018,（9）
• 所属期刊栏目: 电子技术设计与应用
• 页码范围: 69-72,62
• 页数: 5页
• 分类号: TN433
• 字数: 2772字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0755.2018.09.018

摘要

本设计基于0.18 μm SiGe BiCMOS工艺设计了一款X波段四通道幅相控制芯片.芯片由四个幅相控制通道及两级功率分配器组成.详细分析了芯片中各单元电路设计及可能存在的问题.测试结果表明,在9.5-10 GHz的设计频段内,噪声系数小于3.0 dB,输出1dB功率压缩点大于11.5 dBm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹锐		17	51	3.0	6.0
3	陶小辉		8	17	3.0	3.0
5	荣大伟		3	1	1.0	1.0
9	李庄		5	5	1.0	2.0