IGBT驱动电路密勒效应的应对策略分析

• 作者: 宫鑫 彭文亮 王飞 许强强
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: IGBT 驱动电路 密勒效应 分布电容 门极电阻 动态特性
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 电子与信息器件
• 页码范围: 44-47
• 页数: 4页
• 分类号: TN710.4-34
• 语种: 中文
• DOI: 10.16652/j.issn.1004-373x.2018.02.011

摘要

IGBT的门极驱动电路影响IGBT的通态压降、开关时间、开关损耗、承受短路电流能力等,决定了IGBT的静态与动态特性.针对IGBT在开通和关断时,密勒效应对驱动的影响及其应对策略进行研究和分析.分析了密勒电容引起的寄生导通效应的4种应对策略,包括改变门极电阻,增加GE间电容,采用负压驱动以及有源密勒钳位技术,并分析了驱动电路中门极电阻对IGBT性能的影响.在此基础上,进行了实验对比,给出了实验分析结果.此外还对驱动与控制板的线缆连接要求进行了测试对比.实验结果表明,门极电阻的设置直接影响IGBT的开关性能,实际应用中需要综合考虑实际需求选择合适的门极电阻值来保证IGBT最优化地开通关断,密勒效应中的密勒电容对IGBT的开关性能影响非常大,驱动与控制板的线缆连接要求越短越好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭文亮	北京理工大学珠海学院信息学院	11	31	3.0	5.0
2	许强强	北京理工大学珠海学院信息学院	8	10	3.0	3.0
3	王飞	北京理工大学珠海学院信息学院	29	190	8.0	13.0
4	宫鑫	北京理工大学珠海学院信息学院	11	13	3.0	3.0