金刚石形核及薄膜生长过程中不同钴含量WC?Co基体中的钴演变

• 作者: 何为凯 孙方宏 王成川 王新昶
• 来源期刊: 中国有色金属学报（英文版）
• 关键词: HFCVD金刚石薄膜 WC-Co Murakami-酸溶液预处理 钴含量 钴演变
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 页码范围: 469-486
• 页数: 18页
• 字数: 629字
• 语种: 英文
• DOI: 10.1016/S1003-6326(18)64680-1

摘要

在具有不同钴含量(6%,10%和12%,质量分数)的硬质合金样品上进行系统试验.基于XPS和EDX检测方法,采用正交试验方法证明了酸浓度、酸处理时间和原始钴含量对去钴深度有显著影响.在此基础上,研究形核、纯氢气氛围加热及生长试验条件下基体温度、原始钴含量及去钴深度对钴演变的影响规律.得到金刚石薄膜涂层器件制备全过程中钴元素的演变机理,为WC-Co基体表面、尤其是高钴含量WC-Co基体表面高质量金刚石薄膜的沉积提供理论依据.结果表明:高钴基体通常表现出较快的钴扩散速度;较高的基体温度会促进预处理基体中的钴扩散,但是在未处理基体中却表现出钴刻蚀作用;对于 WC-12%Co 基体,较为合适的预处理深度为8-9 μm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙方宏	上海交通大学机械与动力工程学院机械系统与振动国家重点实验室	91	969	17.0	25.0
2	王新昶	上海交通大学机械与动力工程学院机械系统与振动国家重点实验室	15	54	4.0	7.0
3	王成川	上海交通大学机械与动力工程学院机械系统与振动国家重点实验室	4	4	1.0	2.0
4	何为凯	济南大学物理科学与技术学院	5	11	2.0	3.0