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摘要:
基于对0.18μm标准CMOS工艺的研究,本文设计了一套完备的电源电压为0.4 V的亚阈值数字标准单元库.设计流程包括工艺研究与方案设计、单元设计与物理实现、库文件的提取以及单元库验证.提出了传统沟道宽度调节与沟长偏置相结合的尺寸调整策略,有效增强PMOS管驱动并减小漏电流,提升库单元稳定性.利用ISCAS基准测试电路完成亚阈值标准单元库的验证,0.4 V电压下,相同设计,基于亚阈值数字标准单元库的设计的相比于基于商用库的设计,能耗减小20%以上,数据延时也有所减小,即亚阈值标准单元库性能明显优于商用库相比.
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文献信息
篇名 亚阈值数字标准单元库设计
来源期刊 电子产品世界 学科
关键词 亚阈值 数字标准单元库 尺寸设计:单元库验证
年,卷(期) 2018,(11) 所属期刊栏目 设计应用
研究方向 页码范围 38-42
页数 5页 分类号
字数 3920字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-5517.2018.10.010
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 何进 电子科技大学电子科学与工程学院 13 107 5.0 10.0
2 贺雅娟 电子科技大学电子科学与工程学院 12 17 3.0 3.0
3 张子骥 电子科技大学电子科学与工程学院 3 1 1.0 1.0
4 史兴荣 电子科技大学电子科学与工程学院 1 1 1.0 1.0
5 张九柏 电子科技大学电子科学与工程学院 1 1 1.0 1.0
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研究主题发展历程
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亚阈值
数字标准单元库
尺寸设计:单元库验证
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
电子产品世界
月刊
1005-5517
11-3374/TN
大16开
北京市复兴路15号138室
82-552
1993
chi
出版文献量(篇)
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总下载数(次)
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19602
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