基于响应面法的直拉硅单晶生长工艺参数优化方法

• 作者: 刘丁 张晶 潘亚妮 牟伟明
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 直拉硅单晶 固液界面 工艺参数优化 响应面法
• 年，卷（期）: 2018,（12）
• 页码范围: 2429-2435
• 页数: 7页
• 分类号: O78
• 字数: 3122字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2018.12.002

摘要

在直拉法制备硅单晶的过程中,要得到优质的晶体必须建立合理的温度分布,而单晶炉内热场的分布与工艺参数的设定密切相关.其中以晶体转速、坩埚转速和拉速等三个工艺参数对热场分布的影响尤为显著.为了确定最佳热场分布下晶转、埚转及拉速的设定值,本文采用响应面算法通过方程拟合、回归分析等步骤求解这三个工艺参量与温度梯度之间的最佳函数模型,并在该模型下同时对这三个工艺参量进行优化分析,且通过仿真实验和拉晶实验表明该方法的有效性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘丁		7	10	2.0	3.0
2	张晶		2	1	1.0	1.0
3	潘亚妮		1	1	1.0	1.0