基于0.18μm工艺的晶格位错造成的芯片失效分析与解决方法

• 作者: 张爱霞
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路 失效分析 晶格位错
• 年，卷（期）: 2018,（9）
• 所属期刊栏目: 工艺与制造
• 页码范围: 41-45
• 页数: 5页
• 分类号: TN407
• 字数: 2041字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2018.09.009

摘要

一般来说,集成电路在研发、制造和应用过程中的失效不可避免.随着人们对产品质量和可靠性要求的不断提高,失效分析工作也显得越来越重要.通过芯片失效分析,找出导致集成电路失效的主要原因,分析其失效的机理,采取相应的技术措施来有效地规避集成电路类似的失效问题.阐述一般失效分析的步骤及过程,并基于一款0.18μm工艺平台制造的电能计量芯片的晶格位错失效进行了失效分析,失效机理的探讨,合理的试验设计最终找到了一组最优的工艺条件,从根本上解决了晶格位错问题,大大提升了晶圆的良率.希望通过本文的阐述以及分析能够对在芯片制造过程中的失效分析、提高晶圆良率有所帮助.

作者信息

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