高压辅助法制备红外非线性AgGaGe5Se12、AgGaGeS4晶体

• 作者: 倪友保 吴海信 王振友 马佳仁 黄昌保
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: AgGaGe5Se12 AgGaGeS4 中远红外激光 高压辅助法
• 年，卷（期）: 2018,（12）
• 页码范围: 2423-2428
• 页数: 6页
• 分类号: O73
• 字数: 1897字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2018.12.001

摘要

AgGaGe5 Se12、AgGaGeS4非线性晶体在中远红外激光具有良好的应用前景.合成高纯多晶是制备可器件化单晶元件的关键.但S、Se易挥发、高温下饱和蒸气压高,易导致石英坩埚的爆炸,组分偏离化学计量比.为此,本文采用一种新型的高压辅助法合成出大尺寸高纯的多晶原料,解决了石英坩埚爆炸和组份偏离问题,并在此基础上进行了单晶的生长过程.多晶X射线粉末衍射测试结果与模拟图谱或者标准PDF卡片一致;X射线荧光光谱分析得到各元素百分含量非常接近化学计量比,AgGaGe5 Se12中Ag、Ga、Ge、Se各占7.86％、5.08％、23.80％、63.26％,AgGaGeS4中Ag、Ga、Ge、S各占28.22％、18.24％、19.52％、34.02％;单晶透过率测试得到AgGaGe5 Se12、AgGaGeS4透过率分别为60％、70％,证明此方法制备的AgGaGe5 Se12、AgGaGeS4晶体性能优良,展现了该方法在多晶合成的应用潜力.