利用漫反射光谱研究SrAl2O4长余辉材料中Dy3+和Eu2+相关陷阱能级

• 作者: 傅佳意 季振国 席俊华 毛启楠 沈东东
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 铝酸锶 陷阱能级 漫反射光谱
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 898-903
• 页数: 6页
• 分类号: TB34
• 字数: 4120字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2018.06.008

摘要

在长余辉发光物理机制的研究中,确定发光材料中的缺陷能级是非常重要的.本文通过高温固相法制备了两组SrAl2 O4:Dy3+和SrAl2 O4:Eu2+样品,并采用漫反射光谱测定了SrAl2 O4中一系列与Dy3+和Eu2+相关的吸收峰.对于SrAl2 O4:Dy3+和SrAl2 O4:Eu2+,在其吸收谱的较低能量(长波长)和较高能量(短波长)区域内分别存在一组吸收峰.通过这些吸收峰可确定Dy3+和Eu2+掺杂在SrAl2 O4带隙中引入的陷阱深度.结果表明Dy3+离子能够在SrAl2 O4中形成浅能级和深能级陷阱,而E u2+离子仅会形成浅能级陷阱.与文献报道的陷阱相比较,这些陷阱大部分和其它方法测得的数据相一致,小部分则是首次报道,可能是其它方法的测试范围所限而无法测得.我们认为距离导带0.6至1.2eV范围内的Dy3+相关陷阱在SrAl2 O4:(Eu2+,Dy3+)长余辉发光过程中起着关键的作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	季振国	杭州电子科技大学材料与环境工程学院	33	116	5.0	9.0
2	席俊华	杭州电子科技大学材料与环境工程学院	13	27	3.0	4.0
3	毛启楠	杭州电子科技大学材料与环境工程学院	7	14	3.0	3.0
4	傅佳意	杭州电子科技大学材料与环境工程学院	1	0	0.0	0.0
5	沈东东	杭州电子科技大学材料与环境工程学院	1	0	0.0	0.0