Nor-Flash技术中HDP CVD制程能力的改善及其工艺稳定性研究

• 作者: 倪立华 张守龙 陆神洲
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路制造 良率损失 HDP CVD 工艺控制
• 年，卷（期）: 2018,（9）
• 所属期刊栏目: 工艺与制造
• 页码范围: 28-33
• 页数: 6页
• 分类号: TN405
• 字数: 5754字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2018.09.007

摘要

以Nor-Flash平台HDP CVD制程在工艺转移过程中所出现的良率损失(良率指标A,Index-A失效)问题为研究对象,从CVD工艺角度探索解决方案,通过实验设计及结果分析,创新性地提出在高刻蚀沉积比条件下沟槽保形生长的失效模型,并在此基础上有针对性地优化和调整工艺参数.经实验证明,改良后的HDP CVD制程能有效解决Index-A失效问题,满足大生产的需要.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	倪立华		2	0	0.0	0.0
2	张守龙		2	0	0.0	0.0
3	陆神洲		1	0	0.0	0.0