粗糙GaAs(001)表面对In0.15Ga0.85As薄膜生长的影响

• 作者: 丁召 张之桓 杨晓珊 杨晨 王一 罗子江 许筱晓 郭祥
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: MBE STM GaAs 粗糙表面 In0.15Ga0.85As薄膜 表面能
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 页码范围: 1-4
• 页数: 4页
• 分类号: TN3|O47
• 字数: 2075字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16180/j.cnki.issn1007-7820.2018.04.001

摘要

通过改变衬底降温速率的方法利用分子束外延(MBE)和扫描隧道显微镜(STM)联合系统制备了不同形貌的GaAs(001)表面.采用SPIP软件测量统计和Bauer定则理论分析,研究了粗糙GaAs(001)表面对In0.15 Ga0.85As薄膜生长的影响.结果表明粗糙GaAs(001)表面存在大量的岛和坑,表面能增加,易于In0.15G0..85As薄膜层状生长形成平整表面.经计算,面积为100×100 nm2的粗糙GaAs(001)表面相对平坦GaAs(001)表面,其表面能增加了4.6×103 eV,大于生长厚度为15 ML的In0.15G0.85As薄膜应变能(2.3×103 eV),说明In0.15 Ga0.85As薄膜在粗糙GaAs(001)表面的外延生长模式为层状生长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗子江	贵州财经大学信息学院	46	63	4.0	6.0
2	郭祥	贵州大学大数据与信息工程学院	25	32	3.0	4.0
3	丁召	贵州大学大数据与信息工程学院	67	161	6.0	8.0
4	杨晨	贵州大学大数据与信息工程学院	29	70	4.0	7.0
5	王一	贵州大学大数据与信息工程学院	17	17	2.0	3.0
6	杨晓珊	贵州大学大数据与信息工程学院	1	1	1.0	1.0
7	许筱晓	贵州大学大数据与信息工程学院	1	1	1.0	1.0
8	张之桓	贵州大学大数据与信息工程学院	1	1	1.0	1.0