W频段二次谐波I/Q调制混频器的设计

• 作者: 刘晓宇 周静涛 王溪 赵华 郭栋
• 来源期刊: 电讯技术
• 学科: 工学
• 关键词: W频段 谐波混频器 I/Q调制 GaAs肖特基二极管
• 年，卷（期）: 2018,（11）
• 所属期刊栏目: 电子与信息工程
• 页码范围: 1345-1350
• 页数: 6页
• 分类号: TN773
• 字数: 2558字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-893x.2018.11.018

摘要

基于自主研发GaAs肖特基二极管(SBD)设计了一款工作于W频段的二次谐波混频器,实现了对射频(RF)信号的I/Q调制.建立了二极管模型,利用电路结构走线长度控制信号流,实现了宽频带内的射频信号混频,并基于此通过HFSS和ADS联合仿真,完成了W频段二次谐波混频器设计.测试结果显示,采用45 GHz信号作为本振信号源,射频80～89 GHz与91～100 GHz的频带范围内变频损耗低于17 dB,最低变频损耗为12 dB;1 dB压缩功率大于11 dBm.仿真结果显示,80～89 GHz与91～100 GHz的镜频抑制效果明显,最好频点镜像抑制达到20 dB.相比于W频段GaAs pHEMT(赝晶型高电子迁移率晶体管)混频器,所设计的GaAs肖特基二极管混频器在较低变频损耗的情况下,具有工艺简单、易实现、高线性度、宽带匹配、高镜像抑制等优点,芯片尺寸仅为1 mm×1 mm.该款W频段混频器达到了目前国内较高水平.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王溪	中国科学院微电子研究所	27	607	15.0	24.0
5	赵华	中国科学院微电子研究所	42	314	9.0	16.0
6	郭栋	中国科学院微电子研究所	22	181	7.0	13.0
10	周静涛	中国科学院微电子研究所	5	26	4.0	5.0
11	刘晓宇	电子科技大学电子科学与工程学院	2	1	1.0	1.0