不同构型(In,Al)GaN合金发光机理的第一性原理研究

• 作者: 史俊杰 安婷 张敏 张玲玲 贺勇
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 第一性原理 (In,Al)GaN合金 In团簇
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能
• 页码范围: 507-514
• 页数: 8页
• 分类号: O472+.3
• 字数: 3380字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20183904.0507

摘要

基于第一性原理的密度泛函理论,研究了纤锌矿(In,Al)GaN合金的4种构型(均匀、短链、小团簇、团簇-链共存模型)的电子结构和发光微观机理.结果表明,在InGaN合金中,短In-N-链和小In-N团簇都局域电子在价带顶(VBM)态.当小团簇与短链共存时,前者局域电子的能力明显强于后者,是辐射复合发光中心.然而,在AlGaN合金中,电子在VBM态的局域受短Al-N链和小Al-N团簇的影响并不显著.合金微观结构的不同会引起电子局域的改变,从而影响材料的发光性能,并对带隙和弯曲系数有重要影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张敏	内蒙古师范大学物理与电子信息学院	22	241	5.0	15.0
2	史俊杰	北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室	6	5	1.0	2.0
3	贺勇	内蒙古师范大学物理与电子信息学院	2	0	0.0	0.0
4	张玲玲	内蒙古师范大学物理与电子信息学院	1	0	0.0	0.0
5	安婷	内蒙古师范大学物理与电子信息学院	1	0	0.0	0.0