一种基于40nm CMOS工艺的新型温度补偿、高电源抑制比的带隙基准源

• 作者: 徐成阳
• 来源期刊: 电子产品世界
• 关键词: 带隙基准 全CMOS 低电源电压 曲率补偿 高电源抑制比 零温系数点
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 所属期刊栏目: 设计应用
• 页码范围: 52-55
• 页数: 4页
• 字数: 2075字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-5517.2018.3.013

摘要

基于TSMC40LP工艺设计了一种新颖的温度补偿、高电源抑制比的带隙基准源.本设计采用全MOSFET设计,工作于1.1 V电源电压,通过将MOSFET偏置在零温度系数工作点,并结合温度补偿技术和有源衰减电路,实现在-40 ℃~125 ℃内温度变化系数为6.6 ppm/℃,低频下电源抑制比为93 dB,高频下电源抑制比为56 dB,与此同时,利用阻抗调试对环路稳定性进行了补偿.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐成阳	电子科技大学微电子与固体电子学院	1	0	0.0	0.0